応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
極薄SOIを用いたシリコンナノ構造デバイス
田部 道晴, 石川 靖彦, 水野 武志
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2002 年 71 巻 2 号 p. 209-213

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抄録
自作の極薄SOI基板を利用したSiナノ構造トンネルデバイスについて述べる.試作した共嶋トンネルダイオードにおいて, Si/SiO2系で初めて負性微分コンダクタンスを観測した.また, Sitノ構造から真空中への電子工ミッション実験において,ナノ突起から大きくかつ先端形状に敏感なエミッション電流を観測した. SOIをもとに作製したドットからのエミッション実験につなげる予定である.最後に,薄いSOI層の熱的不安定性についても触れる.
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© 社団法人 応用物理学会
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