抄録
透過型電子顕微鏡 (TEM) を用いた極微小領域の元素分析,化学結合状態観察,ひずみ計測法について述べる.特性X線分析 (EDS) 法により,一次元方向の元素分析 (1nm以下の領域)が簡単に行えるが,軽元素の定量的分析は難しい.電子工ネルギー損失分光 (EELS) 法は,軽元素を含めて二次元の元素分析と一次元の結合状態観察が可能である.収束電子回折 (CBED) 法によると, Siの<100>方向のひずみを約10-4の精度で検出できる.
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