抄録
ガス圧焼結法(0.92MPaの窒素ガス圧下, 1500～1700℃)で合成した一連のLn4Si2O7N2(Ln=希土類, 除くPm,Eu)の結晶構造を,La4Si2O7N2およびLu4Si2O7N2 を構造モデルとしたX線回折データのRietveld解析により精密化した。Ln4Si2O7N2の格子定数(a, b, c, β)および単位格子体積はいずれも希土類イオン半径が増加するに従い直線的に増加した。また, Ln = SmとGdとの間に格子定数変化のギャップが認められた。Rietveld解析の結果から, Ln4Si2O7N2はLa4Si2O7N2構造(Ln = La-Sm)とLu4Si2O7N2構造(Ln = Gd-Lu)の2つのグループに分類されることがわかった。
