抄録
本研究はZnOをナノロッド状に制御した基板を作製し、MgO薄膜でコーティングしVoc、変換効率の向上を試みた。ZnOをコアとし酸化マグネシウム(MgO)で表面をコーティングしコアシェル構造にすることで酸化物半導体層表面の等電点がZnOのpH7からMgOのpH12に変わることでの電池性能の改善を試みた。作製したナノロッドは直径60nm長さ7μmであった。I-V測定によると、VocはZnOナノロッド基板では627mV、MgOコーティング後では660mVであり、また変換効率ではコーティング前では0.125%、MgOコーティング後では0.130％であった。
