日本セラミックス協会 年会・秋季シンポジウム 講演予稿集
第24回秋季シンポジウム
セッションID: 3R15
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Pb(Zr,Ti)O3ナノロッド集合体の基板上へのエピタキシャル成長とその圧電特性
*山田 智明田中 秀典舟窪 浩兒玉 裕美子木口 賢紀今野 豊彦吉野 正人長崎 正雅
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抄録
圧電体の薄膜を用いたナノ・マイクロデバイスの実現が期待されている。しかし、圧電体を薄膜化すると、その支持体である基板のクランピング効果により、圧電特性が大きく抑制される事が知られている。そこで、薄膜のような2次元構造ではなく、ナノロッドと呼ばれる基板に拘束されない1次元構造が注目されている。本講演では、我々が最近実現しつつあるPb(Zr,Ti)O3ナノロッドのエピタキシャル成長技術と、ナノロッド化がもたらす圧電特性への影響を報告すると共に、更なるスケールダウンによって期待されるサイズ効果について展望を紹介する。
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©  日本セラミックス協会 2011
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