大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究 プラズマの発光分析

垣内 弘章; 中濱 康治; 大参 宏昌; 安武 潔; 芳井 熊安; 森 勇蔵

doi:10.11522/pscjspe.2004S.0.441.0

2004年度精密工学会春季大会

セッションID: H14

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2004S.0.441.0

会議情報

主催: 社団法人精密工学会

機能性薄膜

大気圧プラズマCVD法によるSiNx薄膜の高速形成に関する研究

プラズマの発光分析

垣内弘章, *中濱康治, 大参宏昌, 安武潔, 芳井熊安, 森勇蔵

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キーワード: 大気圧プラズマCVD, 発光分析, SiNx

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抄録

円筒型回転電極を用いた大気圧プラズマCVD法で成膜する場合,プラズマ中の発光種はガスの流れや電極形状による電界強度分布の影響を受けるため,その流れ方向の分布を知ることは重要である.SiH4,NH3,H2,He を用いるSiNx膜形成時において,NH3濃度を0.3%から2.5%まで変化させてNHやN2の発光を観測したところ,NH3濃度が小さい方が発光強度が強かった.NH3濃度が小さくても効率的に励起・分解が進行している.

責任著者(Corresponding author)

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