トライボナノリソグラフィー（TNL）と化学エッチングを併用した極微細構造形成（第2報） 高アスペクト比の微細構造形成

深瀬 達也; 森田 昇; 川堰 宣隆; 山田 茂; 高野 登; 大山 達雄; 芦田 極

doi:10.11522/pscjspe.2008S.0.797.0

2008年度精密工学会春季大会

セッションID: J01

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2008S.0.797.0

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主催: 社団法人精密工学会

トライボナノリソグラフィー（TNL）と化学エッチングを併用した極微細構造形成（第2報）

高アスペクト比の微細構造形成

*深瀬達也, 森田昇, 川堰宣隆, 山田茂, 高野登, 大山達雄, 芦田極

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キーワード: トライボナノリソグラフィー, 原子間力顕微鏡, 微細構造形成, 化学エッチング, 単結晶シリコン, 加工用カンチレバー

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抄録

本研究では，トライボナノリソグラフィー(TNL)と化学エッチングを併用した高アスペクト比の微細構造形成について検討した．TNLを行った単結晶シリコンをKOH水溶液でエッチング処理することで，凸状の微細構造を形成できる．高アスペクト比の微細構造を形成するため，単結晶シリコン(110)を利用した微細構造形成を試み，その形状の各種実験条件依存性について検討した．

責任著者(Corresponding author)

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