数値制御ローカルウエットエッチングによるSOI膜厚の均一化加工（第二報）

植田 和晃; 細田 真央; 永野 幹典; 是津 信行; 山村 和也

doi:10.11522/pscjspe.2009A.0.157.0

2009年度精密工学会秋季大会

セッションID: C13

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2009A.0.157.0

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主催: 社団法人精密工学会

数値制御ローカルウエットエッチングによるSOI膜厚の均一化加工（第二報）

*植田和晃, 細田真央, 永野幹典, 是津信行, 山村和也

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キーワード: エッチング, SOI, シリコン, 基板, MEMS

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抄録

半導体デバイスの高速化，低消費電力化，MEMS製造プロセスの簡略化を実現する基板としてSOIウエハが注目されている．SOI層上に作製されたデバイスの特性はその膜厚に依存するため，膜厚の不均一性は歩留まりの低下の原因となる．そこで我々は数値制御ローカルウエットエッチングを用いたSOI膜厚の均一化加工を提案した．その有用性を示すため，SOI膜厚の均一化加工をおこない，さらに加工時間の短縮，加工精度の高精度化を図った．

責任著者(Corresponding author)

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