純水を用いた化学エッチングによる4H-SiC基板の平坦化加工

抄録

砥粒を用いない新たな研磨手法として，触媒表面基準エッチング法 (CARE) の開発がなされてきた．現在までに本手法を用いて，4H-SiC基板上にRMS粗さが0.1 nm以下の原子レベルで平坦な表面を機械研磨後表面から短時間で，オフ角に依らず実現可能である．しかしながら，加工溶液としてフッ化水素酸溶液が用いられるため，実用化は困難であるといえる．本研究では，HF溶液に代わる加工溶液として純水を用い，4H-SiC基板に対しCARE加工を適用した結果を報告する．