多接合型太陽電池のためのGeとGaAsの表面活性化接合

河野 元紀; 藤野 真久; 山下 大之; 渡辺 健太郎; 杉山 正和; 中野 義昭; 須賀 唯知

doi:10.11522/pscjspe.2014S.0_369

2014年度精密工学会春季大会

セッションID: E21

DOI https://doi.org/10.11522/pscjspe.2014S.0_369

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主催: 公益社団法人精密工学会

多接合型太陽電池のためのGeとGaAsの表面活性化接合

*河野元紀, 藤野真久, 山下大之, 渡辺健太郎, 杉山正和, 中野義昭, 須賀唯知

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キーワード: 表面活性化接合, 多接合型太陽電池

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抄録

　異なる半導体からなる複数の太陽電池を積層した高効率な太陽電池が注目されている. 本研究では, InGaP/GaAs/InGaAsの3接合セルにGeセルを加えることを想定し, GeとGaAsを表面活性化法により接合した. 接合強度は, 4.87MPaを示し,十分な強度が得られたが, 電気特性は整流性を示し, 界面抵抗は0.1Vで0.16Ωcm2であった. 接合手法の更なる低抵抗化が求められることが分かった.

責任著者(Corresponding author)

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