原子層堆積法(Atomic Layer Deposition: ALD)により成膜した酸化膜あるいは金属中間層を用いた接合技術

抄録

我々は原子層レベルで制御可能な原子層堆積法:ALD法により形成した酸化膜、金属薄膜を用いた接合技術の開発を行なっている。1つは、5G通信用LiTaO₃/水晶複合SAW基板の作製に向けた圧電単結晶同士の接合を、界面にアモルファス酸化膜を設け表面処理することで達成する技術である。2つ目は、3次元実装技術で求められる低温接合に向け、極薄膜Pt中間層を用いることによる低温でのCu/Cu直接接合技術である。