C面サファイア基板のナノスクラッチ特性（第3報）

シングルとマルチ・スクラッチにおける現象の相違

抄録

単結晶C面サファイア基板は，単結晶GaNのエピタキシャル成長基板としての用途から，被削性をnmレベルで理解することが重要である．本報では，そのC面サファイア基板に対し単溝を生成するシングル・ナノスクラッチとnmオーダの送りによるマルチ・ナノスクラッチを試み，おもに異方性の相違について検討した結果を報告する．