薄層クロマトグラフ法による無担体のAs (III) とAs (V) の分離

抄録

ヒ酸塩に中性子を照射した場合, 反跳効果によって生成する放射性のAs (III) をAs (V) から簡単, 迅速に分離する目的で, 薄層クロマトグラフ法による分離を検討した。薄層プレートには5%の石コウを含む薄層用シリカゲル“Wakogel B-5”を250μの厚さにガラス板上に塗布して用いた。数種の展開剤について検討した結果, アセトン+濃リン酸 (10: 1) で展開することにより, 両者を展開時間20～30分で分離しうることが示された。