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同時比較検出による陽電子消滅ドップラー拡がりの精密測定
岩瀬 義倫上殿 明良谷川 庄一郎鈴木 敬愛
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1985 年 34 巻 4 号 p. 195-200

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抄録

同時比較検出による陽電子消滅ドップラー拡がりの精密測定法を開発し, InP単結晶ウェハーのgrow-in defectの位置分布の測定を行った。比較検出法では1つの半導体検出器を用いて, 2つの異なる試料を同時に測定するため, エレクトロニクス系のドリフト等を少なくできることと, 同時計数をとることによるパックグラウンドの低減が可能となり, 従来の方法に比べ1000倍もの感度を持つ測定が実現した。本実験ではliquid encapsulated Czochralski法によって作成されたInP単結晶ウェハーの引き上げ軸に垂直な方向に沿って, 陽電子消滅ドップラー拡がりの測定を行い, 試料のエッチピットを測定することによって求まる転位密度分布の変化とほぼ一致する結果を得た。

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