東芝マイクロエレクトロニクス(株)
1996 年 18 巻 7 号 p. 609-612
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半導体デバイスの微細化、高集積化に伴い最表面の汚染に関する評価がますます重要になってきた。特に最近はウエハー表面の有機物汚染の低減が必要になっている。この有機物汚染の評価としてTOF-SIMSが注目されている。今回、TOF-SIMSによる有機物分析の定量精度(再現性)に関する考察とGaイオンビームによる分子イオンイメージングから得られたウエハー上微小有機異物の同定及び不良原因となった有機物汚染の特定に関して紹介する。
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