抄録
薄膜SOI(Silicon on insulator)を用いたCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)LSIが本格的に導入されようとしている.従来のバルクSiデバイスのスケーリングで得られる以上の高速化と低消費電力化が達成できるからである.本文では, まず, SOI CMOS構造の特徴, および, SOI CMOSデバイスの特徴について述べ, SOIデバイスを使いこなす上で理解しなければならないもっとも重要な現象である基板浮遊効果について詳しく述べている.次に, MOSデバイスとして重要課題である短チャネル効果とホットキャリア信頼性について述べている.これらのいずれにおいても, 薄膜SOI MOSFET特有の現象が存在することを示し, そのメカニズムについて述べている.さらに, SOI CMOSデバイスのスケーリングの課題と今後の展望についても述べ, 新材料導入の必要性を述べている.
