日本電信電話(株)
NTTエレクトロニクス(株)
2002 年 24 巻 8 号 p. 673-681
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超高速光通信システムのキーデバイスとして開発中のInP HFETの高信頼化の検討について述べる.電極のメタルおよび真性部分の改良に伴う寿命向上の結果を示す.また, HFET の40-Gb/s ICの加速試験の結果と単体トランジスタとの関連を示す.
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