GaNパワーデバイスの現状と信頼性(パワー半導体の現状と信頼性)
2015 年 37 巻 1 号 p. 10-18
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2015 年 37 巻 1 号 p. 10-18
光デバイスとして開花した半導体材料GaNは,省エネ・省電力の意識が高まる現在,高効率な電力エネルギーの変換を可能とするパワーデバイスの材料としても注目されている.そこで,本稿では,GaNという半導体材料の可能性,多様性,III-V族系トランジスタとして用いられるHEMT(High Electron Mobility Transistor)の原理と特徴について簡単に説明する.また,現状の設計課題であるノーマリオフ化と電流コラプス,それに対するこれまで報告された対策を紹介する.加えて,ゲートコンタクト劣化やゲート直下の構造劣化に関する信頼性問題も紹介する.
