2018 年 40 巻 4 号 p. 180-187
本報告では,熱疲労試験後の鉛フリーはんだ付け部の断面観察で,き裂進展経路とボイドの有無,発 生箇所との関係を確認した.加えてANSYS1 を用いたチップ部品はんだ付け部の応力解析を行い,ボ イドの有無・ボイド位置により最大応力発生箇所が異なることを把握した.次に,熱疲労試験前後X 線 CT を用いて同一はんだ付け部の非破壊解析を行い,ボイドとき裂進展経路との関係を調査した.ま た,ボイド発生要因の一つと考えられる電子部品の吸湿に着目し,吸湿させたチップ部品,QFP2, BGA3 を実装,X 線観察で吸湿とボイドの発生率,発生位置の関係を調べた.