表面技術
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Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のアノードエッチング
阿相 英孝, 小野 幸子
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キーワード: Anodic Etching, III-V compound Semiconductors, InP, GaAs
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2018 年 69 巻 12 号 p. 633-636

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