CAICISSによるInP(100)-(2x4)表面構造の研究

抄録

スパッタとアニールを繰り返すIBA処理によって清浄化したInP(100)表面は、2×4構造を形成することが知られている。この2×4構造はこれまで様々なモデルが提案されているが、詳細な表面構造の決定には至っていない。そこで本研究では同軸型直衝突イオン散乱分光法(CAICISS)を用いて、表面構造の決定を試みた。