メチルシランを用いたC予備堆積過程とSi上Geナノドット

抄録

Si基板上GeナノドットはSi系光デバイスへの応用が期待される。デバイス応用に向けてドットのサイズ縮小及び密度増大を図るためにはC予備堆積が有効であることが知られているが、これをガスソースで行った研究はほとんどない。今回我々はC予備堆積をメチルシランを用いて行い、その吸着・分解・水素脱離過程を赤外吸収分光で調べた。メチルシラン吸着及びアニール後の表面状態と、その後形成されるGeドットとの関連を議論する。