均一電子照射下でのシリコン表面からの水素脱離定量評価

抄録

均一な電子照射下におけるシリコン表面からの水素脱離評価を行った結果を報告する。不活性ガス（Ar）プラズマ中の電子を照射源として均一な電子照射を実現し、赤外吸収分光によるその場観察で定量的に評価した。このときの水素脱離の照射電子量に対する収量はSTMなどで得られている既知の値に比べて非常に大きい値が得られた。