半導体薄膜の誘電関数と異方性

抄録

半導体薄膜は原子スケールに薄くなると、誘電特性がバルクから大きく変化すると言われている。本研究では、SiおよびGaAs薄膜の動的誘電関数を第一原理計算を用いて計算することで、半導体薄膜の誘電関数の膜厚依存性と偏光・膜方位に起因する異方性を明らかにした。