室温におけるSi(111)-7x7表面の飽和吸着酸素量の入射酸素分子の並進運動エネルギー依存性

抄録

室温におけるSi(111)-7x7表面の飽和吸着酸素量の入射酸素分子の並進運動エネルギー依存性（0.03eVから2.3eVの範囲）を放射光を用いた高分解能リアルタイム光電子分光により調べた結果を報告する。酸素分子の並進運動エネルギーが約0.5eV以上の領域で、飽和吸着酸素量が増加することを見出した。通常の酸素ガスの暴露では進行しない並進運動エネルギーの増加により誘起される新たな酸素吸着過程を示唆する結果を得た。