表面科学講演大会講演要旨集
第26回表面科学講演大会
セッションID: 1B12
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11月6日(月)
第一原理計算によるSiCポリタイプ生成機構の解析
*窪田 靖彦山口 浩樹崎山 幸紀高木 周松本 洋一郎
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抄録

SiC結晶成長においてポリタイプが生じる要因を明らかにするために,密度汎関数法を用いた解析を行った.各ポリタイプの表面エネルギーを計算し,古典核生成理論を用いて温度,圧力などの反応条件によりどのポリタイプが成長しやすいかの評価を行った.その結果,実験結果との定性的な一致が得られた.さらに,基板表面へのラジカル(Si2C,Si)の吸着により結晶成長が行われるという仮定の基,反応経路を検討した.

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© 2006 社団法人 日本表面科学会
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