主催: 日本表面科学会
東大院工
名大工
東大工
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SiC結晶成長においてポリタイプが生じる要因を明らかにするために,密度汎関数法を用いた解析を行った.各ポリタイプの表面エネルギーを計算し,古典核生成理論を用いて温度,圧力などの反応条件によりどのポリタイプが成長しやすいかの評価を行った.その結果,実験結果との定性的な一致が得られた.さらに,基板表面へのラジカル(Si2C,Si)の吸着により結晶成長が行われるという仮定の基,反応経路を検討した.
日本表面真空学会学術講演会要旨集
表面科学学術講演会要旨集
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