主催: 日本表面科学会
横国大院工 NTT物性基礎研
NTT物性基礎研 JST-CREST
横国大院工 JST-CREST
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最近我々は20eV_から_20keVの低エネルギー電子・光子照射が単層ナノチューブに損傷を与えることを報告した.今回,電子描画装置を用いて金属的ナノチューブの一部に電子照射を行うことにより,その電気特性を半導体的に変えられることを明らかにした.半導体的特性は低温のみではなく室温でも保たれる.また低温電気特性に観測されるクーロンギャップの照射による増大も観測された.
日本表面真空学会学術講演会要旨集
表面科学学術講演会要旨集
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