表面科学講演大会講演要旨集
第26回表面科学講演大会
セッションID: 1C06
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11月6日(月)
低エネルギー電子照射によるカーボンナノチューブFETの金属_-_半導体転移
*橋本 惇一鈴木 哲小林 慶裕荻野 俊郎
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抄録

最近我々は20eV_から_20keVの低エネルギー電子・光子照射が単層ナノチューブに損傷を与えることを報告した.今回,電子描画装置を用いて金属的ナノチューブの一部に電子照射を行うことにより,その電気特性を半導体的に変えられることを明らかにした.半導体的特性は低温のみではなく室温でも保たれる.また低温電気特性に観測されるクーロンギャップの照射による増大も観測された.

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© 2006 社団法人 日本表面科学会
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