低エネルギー電子照射によるカーボンナノチューブFETの金属_-_半導体転移

抄録

最近我々は20eV_から_20keVの低エネルギー電子・光子照射が単層ナノチューブに損傷を与えることを報告した．今回，電子描画装置を用いて金属的ナノチューブの一部に電子照射を行うことにより，その電気特性を半導体的に変えられることを明らかにした．半導体的特性は低温のみではなく室温でも保たれる．また低温電気特性に観測されるクーロンギャップの照射による増大も観測された．