光電子分光法によるナフタレン/HOPG表面の電子状態の観測

抄録

HOPG表面上にナフタレンを吸着させた系の電子状態を紫外光電子分光法により観測した。１ML以下では、BE2.7eVのHOMOにナフタレンの分子振動が観測された。１ML以上では、BE1.5eVにステップ状の連続状態が観測された。これらの結果は、吸着にともなう分子の電子状態を知る手がかりになると期待される。さらに、レーザーを光源とした２光子光電子分光測定も行っており、非占有準位の変化についても議論する。