主催: 社団法人 日本表面科学会
東北大学電気通信研究所
東北大学電気通信研究所 戦略的創造研究推進事業/科学技術振興機構
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その優れた機械的強度、熱的・化学的安定性から、SiCはパワーデバイスや耐環境デバイス等への応用が期待される。もしSi基板上に高品質のSiC薄膜が低温・高速で製膜できれば、SiテクノロジーとこれらSiCデバイスを融合できる。我々はモノメチルシラン単一ソースによる超低圧CVD法を用い、二段階製膜法を採用することで900℃という低温で3μm/hという極めて高速な単結晶SiC製膜に成功したので報告する。
表面科学講演大会講演要旨集
日本表面真空学会学術講演会要旨集
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