表面科学学術講演会要旨集
第29回表面科学学術講演会
セッションID: 1B07
会議情報

10月27日(火)
Si基板上単結晶3C-SiC薄膜の低温・超高速製膜
*齋藤 英司末光 眞希
著者情報
会議録・要旨集 フリー

詳細
抄録

その優れた機械的強度、熱的・化学的安定性から、SiCはパワーデバイスや耐環境デバイス等への応用が期待される。もしSi基板上に高品質のSiC薄膜が低温・高速で製膜できれば、SiテクノロジーとこれらSiCデバイスを融合できる。我々はモノメチルシラン単一ソースによる超低圧CVD法を用い、二段階製膜法を採用することで900℃という低温で3μm/hという極めて高速な単結晶SiC製膜に成功したので報告する。

著者関連情報
© 2009 社団法人 日本表面科学会
前の記事 次の記事
feedback
Top