低温でのコバルトからの単層カーボンナノチューブの成長

抄録

　CVD法により成長させた単層カーボンナノチューブには、半導体性のものと金属性のものが混在していることが、よく知られている。これは、エレクトロニクスへの応用では、大きな問題となる。今回我々は、触媒であるコバルトを450℃で還元・微粒子化して、その後の成長過程をより低温で行うと、低温程金属性の割合が多くなることを見出した。