表面科学学術講演会要旨集
真空・表面科学合同講演会
(第30回表面科学学術講演会・第51回真空に関する連合講演会)
日本真空協会・社団法人日本表面科学会
セッションID: 4Ba-03
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11月4日(木)
ガドリニウム、ジスプロシウムの電荷移行断面積
*柴田 猛順小倉 浩一小池 文博
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抄録

反応断面積が大きい電荷移行は多くのプラズマ中で重要な素過程である。ガドリニウムなどランタノイドの対称電荷移行は、電荷移行する6s電子の内側にf電子殻などがあり共鳴、非共鳴の反応経路がある。これまで共鳴、非共鳴の反応が独立に進むとして断面積を計算してきたが、共鳴、非共鳴の状態間にも移行がある。ここでは、ガドリニウム、ジスプロシウム電荷移行をすべての状態間の移行を考慮した計算を行った。その結果、これまでの計算値よりずっと大きく、測定値に近い値になった。

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© 2010 社団法人 日本表面科学会/日本真空協会
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