不均一触媒薄膜形成によるカーボンナノチューブ薄膜のモルフォロジ制御

抄録

スパッタ成膜では、高アスペクト比ホール底部で膜厚分布が不均一になることが知られている。これをCVD法によるCNT成長用触媒薄膜形成に応用すると、ミクロンサイズのパターン内で触媒膜厚が不均一になり、この膜厚分布を反映したCNT薄膜のモルフォロジ変化が現れる。このようなミクロンオーダーでのCNT薄膜モルフォロジ制御は、従来方法では不可能であり、高性能フィールドエミッタアレイ作製への応用が期待できる。