真空・表面科学合同講演会
（第30回表面科学学術講演会・第51回真空に関する連合講演会）
日本真空協会・社団法人日本表面科学会
（第30回表面科学学術講演会・第51回真空に関する連合講演会）
日本真空協会・社団法人日本表面科学会
セッションID: 4Ca-02
会議情報
主催: 日本真空協会、社団法人 日本表面科学会
11月4日（木）
SiON/SiC界面の誘電率不連続性
詳細
主催: 日本真空協会、社団法人 日本表面科学会
次世代SiC-MOSFETの酸化物材料として期待されるSiON超薄膜を対象とし、外部電界下における第一原理基底状態計算を用いて、SiC/SiON界面における誘電率の空間分布を評価した。特に、SiON/SiC界面の誘電率に影響を与える (1)基板結晶構造依存性 (2)価電子帯オフセットが誘電率に与える影響について議論する。
