硝酸酸化法により形成したゲート酸化膜とこれを用いた超低消費電力サブミクロン薄膜トランジスタの特性評価

抄録

携帯電子機器に用いられるシステム液晶ディスプレイは、低消費電力化が重要課題である。そこで、ガラス基板上の多結晶シリコン薄膜表面を硝酸酸化法により低温で直接酸化し、シリコン酸化膜を化学気相堆積してゲート酸化膜を形成し、薄膜トランジスタ（TFT）を作成した。ゲート酸化膜厚を80 nmから20 nmにしてもゲートリーク電流を抑制でき、低電圧駆動により消費電力を従来の1/100に低減できた。0.9μmのゲート長を持つTFTの駆動に成功した。