希ガス原子線散乱によるC60薄膜成長初期過程の計測

抄録

希ガス原子線散乱はC60のような壊れやすい有機薄膜の計測に非常に有効な手法である。C60はCu(111)と非常に強く結合し、単分子層の物性は基板の影響を強く受けていることが知られている。本研究ではC60/Cu(111)の成長初期過程及び、単分子層と二層目との表面物性の違いについて計測した。その結果、吸着確率一定でlayer by layer成長し、単分子層と二層目との振動状態に大きな違いがあることが明らかになった。