微細加工Si(100)基板上エピタキシャルグラフェンの形成と物性評価

抄録

Si基板上3C-SiC薄膜上のエピグラフェン（EG）は、SiC(100)/Si(100)では金属的、SiC(111)/Si(111)では半導体的な物性を持つことが知られている。そこでSi(100)基板をアルカリエッチングにより微細加工することで異なる面方位を露出させ、その上にEGを形成したところ、同一基板内に金属的及び半導体的な物性を持つ2種類のグラフェンを同時形成可能であることが明らかになった。