SiO2表面での多層グラフェン成長過程の解析：硬X線光電子分光、偏光依存X線吸収分光、赤外吸収分光

抄録

SiO₂/Si基板上に光電子制御プラズマCVDを用いて成長させた多層グラフェンの初期成長機構を解明するため、膜質の成長時間依存性を調べた。ラマン分光法、硬X線光電子分光法による結晶性評価および偏光依存X線吸収分光法による配向性評価から、初期では水平方向に配列したグラフェンが膜厚1 nmで曲がりはじめ、10 nm程度で完全にランダム配向になることが判明した。この配向性悪化の原因がC-H結合であることが赤外吸収分光より示唆された。