Si(001)表面に対するRHEED入射電子波動場

堀尾 吉已; 高桑 雄二; 小川 修一

doi:10.14886/sssj2008.32.0_46

第32回表面科学学術講演会

セッションID: 20Bp13

DOI https://doi.org/10.14886/sssj2008.32.0_46

会議情報

主催: 公益社団法人日本表面科学会

11月20日（火）

Si(001)表面に対するRHEED入射電子波動場

*堀尾吉已, 高桑雄二, 小川修一

著者情報

キーワード: 反射高速電子回折, オージェ電子分光, シリコン（００１）, 波動場

会議録・要旨集フリー

詳細

抄録

Si(001)表面近傍に形成されるRHEED入射電子波動場を動力学的に計算し、RHEED実験中に放出されるオージェ電子強度との相関関係について報告する。室温のSi(001)表面の構造解析には非対称ダイマーのフリップフロップ運動といった困難があるが、RHEEDの低視斜角入射では、入射方位に沿った投影ポテンシャルが支配的となり、構造解析が容易となる。視斜角変化に対する波動場の特徴も含め考察する。

責任著者(Corresponding author)

J-STAGEへの登録はこちら（無料）