触媒表面基準エッチング(Catalyst referred etching)による単結晶SiC、GaN、ZnOの原子スケール平坦化

抄録

材料表面の化学エッチングに基準面を導入することによって、従来の研磨法と同様に表面凸部からの選択的な除去を実現した。本手法を単結晶SiC、GaN、ZnO等に適用した結果、幾何学的かつ結晶学的に非常に高度に規定された表面の得ることに成功した。それぞれ材料について、エッチング後表面の分析・評価の結果やエッチングメカニズム検討の結果などを紹介する。