光電子制御プラズマCVDによる多層グラフェンの結晶性と電気特性：H2とArキャリアガスの比較

抄録

光電子制御プラズマCVDを用いた多層グラフェン成長において、CH₄/ArおよびCH₄/H₂の二種類の原料ガスを用いて実験を行い成長様式の変化と電気的特性に及ぼす影響を調査した。CH₄/H₂はCH₄/Arよりも単位C当たりの堆積量が多く抵抗率も低いことからHラジカルはCH₄のかい離を促し、グラフェンエッジの不要なH原子を引き抜くことが示唆された。