In/Si(111)√7×√3-hex表面の作製と電子状態

抄録

Si(111)清浄表面にInを蒸着し加熱することで得られる√7×√3超構造について、被覆率を1.2 MLとするhex構造と、2.4 MLとするrect構造の2種類が提案されている。このうちrect構造については盛んに研究が行われているが、hex構造に関する実験的な報告は少ない。そこで我々は√7×√3-hex構造を持つ試料の作製法を検討し、低速電子回折および光電子分光を用いて評価した。