温度増加によるSiO2/Si(001)界面酸化増速機構の観察

抄録

酸化温度を増加させることによって、SiO2/Si(001)界面における酸化速度は増加する。
このとき、界面酸化速度は増加後の温度ではなく、温度差によって決定されることがわかっているが、その理論的裏付けは未だなされていない。
本研究ではSi(001)表面における表面酸化終了後に温度を増加させたときの酸化速度増速効果について 、熱歪みによるSi原子放出の観点より考察する。