機能性官能基によるシクロデキストリン混合単分子層の包接特性制御

抄録

シクロデキストリン・チオール誘導体（CD-SH）自己組織化単分子層（SAM）修飾Au(111)電極に機能性官能基を導入することで包接特性をより高度に制御できると期待される。本研究ではカルボキシ末端CD-SH/C₅SHおよびCD-SH/カルボキシ末端C_nSH（n = 5, 10, 15）混合単分子層修飾電極を作製し、機能性官能基によりCD-SH SAMの包接特性を積極的に制御することに成功した。