高精度積層構造分析技術の開発

抄録

Ⅲ-Ⅴ化合物半導体デバイスは、厚さ数～20 nmと非常に薄い膜を僅かに組成を変えて何層も積層する構造がしばしば用いられる。その多層薄膜構造の中の各層に対して詳細に組成分析を行うことは非常に難易度が高く、バンドギャップと格子歪量計測による管理が一般的に行われている。今回は、二次イオン質量分析（SIMS）を中心に最適手法検討を行った結果を報告する。