Si基板上3C-SiC薄膜へのイオンビーム照射を用いたグラフェン成長に関する研究

抄録

絶縁体上のSiC基板でのグラフェン形成は、グラフェンの生産性とデバイス応用の面から期待される。本研究では、3C-SiC/SiO2/Si基板上へイオンビーム照射をした後、UHV内において1200℃で1分間アニールする表面分解法により、エピタキシャルグラフェン形成を行った。STM観察とXPS測定を行い、イオンビーム照射強度とグラフェン形成への影響について評価する。