TCNQ吸着によるSrTiO3(001)表面の電子構造変化と電気伝導度変化の評価

抄録

n型半導体であるNbドープSrTiO3（STO）結晶の(001)表面とアクセプター分子であるTCNQの相互作用を、光電子分光を用いて検証した。TCNQの吸着により仕事関数は上昇し、STO表面で上方バンドベンディングが起こった。この結果よりTCNQはSTO表面に対してもアクセプタとして働くことが分かった。講演では表面電気伝導度測定とNEXAFS測定の結果も報告し、界面電荷移動のメカニズムを議論する。