原子膜半導体を用いた電界効果素子

抄録

従来のバルク半導体に代わって、2次元原子膜を用いた半導体素子を用いることで、低消費電力等を特徴とした次世代エレクトロニクスを実現できる可能性がある。原子スケールの厚さであるために、原子膜中もしくは周辺の荷電不純物等による散乱に敏感であり、電気伝導における散乱機構を解明する研究を行った。散乱を抑制可能な原子膜ヘテロ構造実現の取り組みを紹介する。