主催: 公益社団法人日本表面科学会, 一般社団法人日本真空学会
国立研究開発法人物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
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従来のバルク半導体に代わって、2次元原子膜を用いた半導体素子を用いることで、低消費電力等を特徴とした次世代エレクトロニクスを実現できる可能性がある。原子スケールの厚さであるために、原子膜中もしくは周辺の荷電不純物等による散乱に敏感であり、電気伝導における散乱機構を解明する研究を行った。散乱を抑制可能な原子膜ヘテロ構造実現の取り組みを紹介する。
表面科学講演大会講演要旨集
日本表面真空学会学術講演会要旨集
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