主催: 公益社団法人日本表面科学会, 一般社団法人日本真空学会
SiとGeは化学的性質が似ており、これまで走査プローブ顕微鏡によるSiGe混晶表面での各原子の識別は困難であった。我々は、原子間力顕微鏡を用いた力学的分光によって最大化学結合力を計測することでGe/Si(111)-(7×7)混晶表面上での個々のGeとSi原子を識別することに成功した。その際、より高い化学活性度を持つ探針の方がGeとSiの識別に望ましいことが判明した。また、本手法を濡れ層であるGe/Si(111)-(5×5)に適用し、最表面層の原子種を明らかにした。