転位変換現象を利用した超高品質SIC結晶の溶液成長

抄録

SiCパワーデバイスの信頼性や性能の向上において、基板結晶の高品質化が不可欠である。我々はSiC溶液成長過程において、成長方向に平行に延びる貫通転位の多くが、成長方向に垂直な基底面上への転位に変換することを見出した。また、この現象を活用することで、転位欠陥の多くが結晶の外部に排出され、結果として超高品質結晶が実現されることを示した。